ふと、ニュースに出ているmemristorなんて言う記事が目にとまりました。うにゃ？っと興味を引かれたので、ググってみると、最初の元記事か英文の元記事だけ。しばらくたって、解説した物がほんのわずかに出てきましたが、ちょっと背筋が寒くなりました。 　おおざっぱに説明しますと、電気回路の基本が変わるということになります。 　電気回路（電子回路ではないことに注意）では抵抗R、コンデンサC,コイルLの組み合わせですべてを表現します。また、そこで扱う物理量としては、電圧V、電流I,電荷Q、磁束Φがあります。それぞれ成立する式としては 電気素子 R　C　L 物理量 V　I　Q　Φ R = V/I (オームの法則)または　V=IR C = Q/V (蓄積電荷)または　Q=CV L = Φ/I（電磁誘導）または　Φ=LI 　の法則が今までありました。学生の時は死ぬほどやらされました。だいたいABCの３クラスに分けて、電気系の学生が電気回路わからんでどうするか！！、わからなければ体で覚えろとばかりに、少人数＋レベル分けで教育されましたとも。ええ 　で、話を戻すと電気素子が３つ、物理量が４つです。なんか数が合いません。それで、どっかの賢い人が、電気素子にはもう一つあるはずだと予測していたそうです。それをHPの研究所が試作したのがmemristorという素子なんです。トランジスタやダイオードなどの非線形素子は様々な種類が制作されていますが、それらより基本のレベルの素子に当たります。 　上の３つの式を見てください。あとひとつ、出てきそうな気がしませんか？ memristor素子をMとして表記すると M　=　Φ/Q 　となるそうです。うーむ微積使わない範囲だといまいち理解出来ない。Mが逆数のような気もします。しかし、まあ、この素子により相互の変換が可能になるわけです。元記事には不揮発性メモリが作れるようなことを書いてありますが、それはあまり考えられません。出来るかもしれませんが、この素子は基本的には電気回路であり、電荷と磁束をパラメータとしている限りそれを保持するのは難しいでしょう。すでにSRAMやDRAMで記憶素子は出来ているわけで、出来たとしても、それなりの回路は必要と思われます。ただ、静的にも動的にも作動する基本素子が使えることにより、電気回路の設計の自由度が大きく広がったのは事実だと思います。

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